[发明专利]半导体器件和该器件的制造方法

摘要

本发明提供了一种DRAM，其中的接点泄漏受到抑止而不会增加电容器的电容；并且，扩散层和露头电极之间的接触面积增大，以减小二者之间的接触电阻，因而可以减小DRAM单元的尺寸，和保证栅极电极和该露头电极两端的绝缘耐电压。在存储器元件和逻辑元件作在同一块半导体基片上的半导体器件中，该存储器元件的晶体管包括一个穿过栅极绝缘薄膜(15)，埋入在半导体基片(11)上作出的沟槽(13)内的栅极电极(16)；和在该半导体基片(11)的表面上的沟槽(13)的侧壁上形成一个扩散层(17)。另外，一个露头电极(20)与该扩散层(17)连接，使该露头电极可以穿过在栅极电极(16)上的第一层间绝缘膜(绝缘薄膜)(18)，覆盖该栅极电极(16)。在该沟槽(13)中还形成一条字线(16)，并且当扩散层(17)的深度增加时，扩散层(17)的杂质浓度降低。

主权项

1.一种存储器元件和逻辑元件作在同一块半导体基片上的半导体器件，所述半导体器件的特征在于：存储器元件的晶体管包括：一个穿过栅极绝缘薄膜埋入在该半导体基片上形成的沟槽内的栅极电极；和在该半导体基片表面侧的沟槽侧壁上形成的一个扩散层，设置一个与该扩散层连接的露头电极，使得该露头电极穿过在该栅极电极上的一个绝缘薄膜，覆盖该栅极电极。