[发明专利]蚀刻方法有效
| 申请号： | 01805193.6 | 申请日： | 2001-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN1404625A | 公开（公告）日： | 2003-03-19 |
| 发明（设计）人： | T·卡瓦斯 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L51/40 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 崔幼平,章杜杲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种方法用于在材料中精确的目标区内蚀刻图案，它包括在材料上选择性地沉积一种物质用于溶解该材料或与该材料起化学反应。可以从有喷嘴的这类打印头沉积微滴，可以从喷嘴以一系列微滴的形式喷射出该材料，如喷墨打印头。在优选的应用中，可以从覆盖光电发射有机聚合物(6)的有机绝缘体层蚀刻出一系列的脊部(40)。然后沉积导电层(42)和用溶剂清洗溶解有机绝缘体的脊部(40)，以便为电致发光显示装置提供可用作阴极的导电条阵列。通过组合，可以为显示装置制造阳极和阴极两者而不需光刻法，这对制造大面积显示装置是特别有利的。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在精确的目标区域中蚀刻材料的方法，其包括选择性地在该材料上沉积一物质，该物质用于溶解该材料或与该材料起化学反应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
