[发明专利]浸渍型阴极单元及其制造方法无效
| 申请号： | 01805318.1 | 申请日： | 2001-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN1404615A | 公开（公告）日： | 2003-03-19 |
| 发明（设计）人： | 今林大智 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01J1/28 | 分类号： | H01J1/28;H01J9/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 魏晓刚,李晓舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种浸渍型阴极结构及制造该结构的方法，该阴极结构能够不利用插入件而牢固将多孔基体金属连接到帽体上并能够通过消除出现有缺陷焊接而提高多孔基体金属和帽体之间的焊接可靠性和生产率，该浸渍型阴极结构包括浸渍以发射材料的多孔基体金属(11)和使得多孔基体金属(11)的表面暴露出来并固定多孔基体金属(11)以便覆盖其底面和侧面的帽体(12)，其中，非多孔致密部分(14)形成在多孔基体金属(11)的底面上，紧密配合区域(16)通过沿着致密部分(14)的外形压变形帽体(12)的底部而形成，且帽体(12)的底部在该紧密配合区域(16)内焊接到多孔基体金属(11)的致密部分(14)上。 | ||
| 搜索关键词： | 浸渍 阴极 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种浸渍型阴极单元，包括浸渍以电子发射材料的多孔金属基底和用于固定所述多孔金属基底以便遮盖所述多孔金属基底的底面和侧面并暴露所述多孔金属基底的前表面的帽元件，其特征在于，在所述多孔金属基底的底面上形成致密部分，且所述帽元件的底部受压变形，以遵循所述致密部分的形状，由此形成紧密接触区域，并且，所述帽元件的底部和所述多孔金属基底的所述致密部分在所述紧密接触部分处焊接到一起。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司，未经索尼公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01805318.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
