[发明专利]半导体存储器件无效

专利信息
申请号: 01806178.8 申请日: 2001-03-07
公开(公告)号: CN1416574A 公开(公告)日: 2003-05-07
发明(设计)人: 高桥弘行;稻叶秀雄;园田正俊;加藤义之;中川敦 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: G11C11/40 分类号: G11C11/40
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 穆德骏,关兆辉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供一种使地址存取高速化并可以缩短循环时间的半导体存储器件。第1地址解码器(2)、第1更新地址解码器(5)对分别从半导体存储器件的外部供给的外部地址(Xn)、半导体存储器件内部的更新中使用的更新地址(RXn)分别进行解码。多路复用器(8)根据外部地址传送信号(EXTR)和更新地址传送信号(RFTR),选择外部地址侧的解码信号(XnDm)或更新地址侧的解码信号(XnRm)作为解码信号(XnMm)输出,以便在1个存储器周期中可连续进行更新操作和Read/Write(读/写)操作。字驱动器(10)对多路复用器(8)等选择出的解码信号(XnMm、XpMq)进行解码,使字线(WLmq)激活。
搜索关键词: 半导体 存储 器件
【主权项】:
1.一种半导体存储器件,用于进行更新操作和读写操作,它包括:解码器,对用于所述读写操作的存取地址及用于所述更新操作的更新地址进行解码并分别输出解码信号;第1切换电路,进行所述解码信号的切换;以及控制电路,根据切换后的解码信号来进行所述更新操作或所述读写操作。
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