[发明专利]量子阱混合无效
| 申请号： | 01806266.0 | 申请日： | 2001-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN1416607A | 公开（公告）日： | 2003-05-07 |
| 发明（设计）人： | 黄文秀;蓝而来;陈润全;周彦;黄玉荣 | 申请（专利权）人： | NTU企业私人有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01L21/18;H01L21/266 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制作包括化合物半导体结构的集成光路的方法，所述化合物半导体结构具有量子阱区域，采用光子源对该结构进行照射以产生缺陷，光子的能量(E)至少为该化合物半导体的至少一个元素的置换能(ED)。然后将该结构进行退火以推动量子阱混合。优选的照射源是采用电子回旋共振(ECR)系统生成的等离子体。可按不同的方式遮挡该结构，从而通过控制该结构在照射源中的暴露部分，按在空间上可控制的方式实现该结构的选择性混合。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 混合 | ||
【主权项】：
1.一种制作包括化合物半导体结构的集成光路的方法，所述化合物半导体结构具有量子阱区域，所述方法包括以下步骤：采用光子源对所述结构进行照射以产生缺陷，然后将所述结构进行退火以促进量子阱混合，其中所述光子的能量(E)至少为所述化合物半导体的至少一种元素的位移能(ED)。
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