[发明专利]量子阱混合无效
| 申请号： | 01806267.9 | 申请日： | 2001-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN1416589A | 公开（公告）日： | 2003-05-07 |
| 发明（设计）人： | 黄文秀;蓝而来;陈润全;周彦;谭兆聪 | 申请（专利权）人： | NTU企业私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/266;H01S5/026 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于灰度掩模图形(110)的新技术，所述方法只需要一步光刻和刻蚀步骤(110，120)就可在选定区域制作不同厚度的SiO2注入掩模(13)，随后由一步IID(130)完成选区混合。这种简单的低成本新技术一般可用于制造PICs，尤其可用于制造WDM源。根据本发明，通过在IID中采用灰度掩模技术，可将QW材料穿过晶片的带隙能量调节成不同的程度。这不仅使得集成单片多波长激光器成为可能，也使得在一片芯片上集成调制器和耦合器成为可能。通过将增益谱扩展到最大值，外延生长后这种技术可用于简化超发光二极管(SLDs)的制作和设计过程。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 混合 | ||
【主权项】：
1.一种制作集成光路的方法，所述集成电路包括具有量子阱区的结构，所述方法包括在结构上进行量子阱混合的步骤，其中进行量子阱混合的步骤包括以下步骤：在所述结构上形成光刻胶，按量子阱混合程度所需、按空间选择方式对光刻胶的不同区域有差别地曝光，随后对光刻胶显影。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
