[发明专利]磁阻效应元件和磁阻效应型磁头无效
| 申请号： | 01806611.9 | 申请日： | 2001-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN1418381A | 公开（公告）日： | 2003-05-14 |
| 发明（设计）人： | 古川昭夫;石井聪 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G11B5/39;G01R33/09;H01F10/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 杨梧,马高平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在由对置的软磁性构件构成的第一和第二磁屏蔽(21)和(22)之间配置磁阻效应元件本体(11)、在本体(11)上配置形成施加偏移磁场的硬磁性层(12)。该磁阻效应元件本体(11)至少由响应外部磁场磁化回转的自由层、固定层、固定该固定层的磁化和抗强磁性层和介于自由层与固定层之间的隔离层层叠的层叠构造部构成。在磁阻效应的元件本体上制成使读出电流在与该层叠膜的膜面交叉的方向通电的CPP型构成，并且沿着层叠膜的膜方向引入检测磁场，使该偏移磁场几乎与上述的检测磁场引入方向交叉并沿膜面的方向施加。在这样的构成中，特别在其自由层中，在检测磁场不施加的状态下，通过设定在该检测磁场的引入侧的前方端和其后方端上实际加入的磁场，具体地说由要由上述的读出电流感应的磁场(HI)和偏移磁场(HB)确定的磁场，变为相同方向来进行在自由层中的稳定的单磁畴化。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 磁头 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻效应元件，其特征在于：在由对置的软磁性构件构成的第一和第二磁屏蔽之间，配置层叠响应外部磁场磁化回转的自由层、固定层、固定该固定层的磁化的抗强磁性层和介于上述自由层与上述固定层之间的隔离层的磁阻效应元件本体，和在该磁阻效应元件上施加偏移磁场的硬磁层；在上述磁阻效应元件本体中，在与该层叠膜的膜面交叉的方向通上读出电流，以便沿上述层叠膜的膜面方向导入检测磁场；使上述偏移磁场几乎与上述检测磁场的引入方向交叉并沿上述膜的方向施加；在上述自由层中，在不施加上述检测磁场的状态下，设定实际加入的磁场，以使在上述检测磁场的引入侧的前方端和其后方端上的磁场方向相同。
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