[发明专利]烃一级C-H键的选择性的、催化的和热诱导的官能化反应无效

专利信息
申请号: 01807302.6 申请日: 2001-03-01
公开(公告)号: CN1524084A 公开(公告)日: 2004-08-25
发明(设计)人: 陈惠远;J·F·哈特威格;T·C·赛姆普 申请(专利权)人: 国际壳牌研究有限公司;耶鲁大学
主分类号: C07F5/02 分类号: C07F5/02;C07B47/00;B01J31/22
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 郭建新
地址: 荷兰*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 一种在一级C-H烃键处选择性官能化脂肪族烃和/或烷基支化的脂环烃的方法,包括在催化剂的存在下,使官能化试剂和烃发生热致反应,所述催化剂包括:a)过渡金属源;b)3~8,环状或非环状的,芳族或非芳族的,中性、阳离子或阴离子的、取代或非取代的电子给体片断的源,它在热反应条件下不会离解,其中所述片断:(i)在直接键合到过渡金属上的片断上,缺少芳族C-H键,或(ii)在直接键合到过渡金属上的片断上,含有空间位阻的芳族C-H键;和c)能形式上给予过渡金属a)电子对的配体源,它热离解;并且其中所述官能化试剂包括硼源。
搜索关键词: 一级 选择性 催化 诱导 官能 反应
【主权项】:
1.一种在一级C-H烃键处选择性官能化脂肪族烃和/或烷基支化的脂环烃的方法,包括在催化剂的存在下,使官能化试剂和烃热致反应,所述催化剂包括:a)过渡金属源;b)3~8的,环状或非环状的,芳族或非芳族的,中性、阳离子或阴离子的、取代或非取代的电子给体片断的源,它在热反应条件下不会离解,其中所述片断:(i)在直接键合到过渡金属上的片断上,缺少芳族C-H键,或(ii)在直接键合到过渡金属上的片断上,含有空间位阻的芳族C-H键;和c)能形式上给予过渡金属a)电子对的配体源,它热离解;并且其中所述官能化试剂包含硼源。
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