[发明专利]异质结BICOMS集成电路的制造方法有效
| 申请号： | 01807539.8 | 申请日： | 2001-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1422439A | 公开（公告）日： | 2003-06-04 |
| 发明（设计）人： | 杰伊·P·约翰;詹姆斯·A·科盖斯诺;林益相;迈克尔·H·肯施罗;维达·依尔德瑞海·伯格;菲利浦·W·德尔;戴维·L·斯托菲;理查德·W·马恩特尔;约翰·W·斯蒂尔 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L21/8249 | 分类号： | H01L21/8249;H01L27/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种异质结BiCMOSIC(100)的制造方法，包括形成栅电极(121，131)，在栅电极上形成保护层(901，902)，在保护层上形成半导体层(1101)，在半导体层上淀积电绝缘层(1102，1103)，使用掩膜层(1104)限定半导体层中的掺杂区(225)并限定电绝缘层中的孔(1201)，在电绝缘层上形成导电层(1301)，使用另一掩膜层(1302)限定导电层中的发射极区(240)，并限定出本征基极区(231)和部分非本征基极区(1502)，以限定导电层中非本征基极区的另一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 bicoms 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路的制造方法，包括：在半导体衬底上形成保护层(901，902)，保护层具有露出部分半导体衬底的孔；在部分半导体衬底和保护层上形成半导体层(1101)；在半导体层上形成电绝缘层(1102，1103)，电绝缘层有孔；在部分半导体衬底中形成掺杂区(225)，形成双极晶体管的部分集电极区；在半导体层和电绝缘层中的孔上形成导电层(1301)；在导电层中限定发射极区；以及在半导体层中自对准非本征基极区的第二部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
