[发明专利]半导体能束探测元件

摘要

光电二极管阵列(1)包括P+扩散层(4、5)和N+沟道阻挡层(6、7)以及N+扩散层(8)。P+扩散层(4、5)和N+沟道阻挡层(6、7)设置在半导体衬底(3)的背面一侧。N+沟道阻挡层(6)设置在相邻的P+扩散层(4、5)之间，具有网格状以隔离P+扩散层(4、5)。N+沟道阻挡层(7)在P+扩散层阵列的外侧与N+沟道阻挡层(6)接连起来被设置成框状。N+沟道阻挡层(7)的宽度被作成为比N+沟道阻挡层(6)的宽度宽。闪烁体光学性地连接到半导体衬底(3)的入射面上。

主权项

1.一种半导体能束探测元件，具备由第1导电类型的半导体构成且从入射面入射规定波长区域的能束的半导体衬底，在与上述半导体衬底的上述入射面相反的背面一侧设置有由第2导电类型的半导体构成的第2导电类型的扩散层；和由杂质浓度比上述半导体衬底高的第1导电类型的半导体构成的第1导电类型的扩散层。