[发明专利]制造光伏箔的方法无效
| 申请号： | 01807795.1 | 申请日： | 2001-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1440572A | 公开（公告）日： | 2003-09-03 |
| 发明（设计）人： | E·米德尔曼;G·J·约恩格登 | 申请（专利权）人： | 阿克佐诺贝尔股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L27/142;H01L31/0392;H01L31/032 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光,马江立 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造光伏箔的方法，该光伏箔包括一个TCO层、一个光伏层，和一个背电极，制造光伏箔的方法包括以下步骤：提供一个导电的临时衬底；在临时衬底上施加一TCO层；用电沉积法在TCO上施加一光伏层，同时在电沉积期间至少穿过临时衬底输送电流；施加一背电极；如果希望这样，施加一永久衬底；除去临时衬底。本发明的关键是，导电的临时衬底和TCO的组件在光伏层电沉积期间起电极作用。由于这点，与现有技术的沉积速率相比，光伏层的沉积速率可以增加。此外，得到一种具有更均匀层厚的光伏层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 光伏箔 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造光伏箔的方法，该光伏箔包括一个TCO层、一个光伏层、和一个背电极，上述方法包括下列步骤：·提供一种导电的临时衬底；·在临时衬底上施加一TCO层；·通过电沉积把光伏层施加在TCO上，至少穿过临时衬底输送用于电沉积的电流；·施加一个背电极；·如果希望这样，施加一永久衬底；·除去临时衬底。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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