[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 01807826.5 | 申请日： | 2001-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN1422430A | 公开（公告）日： | 2003-06-04 |
| 发明（设计）人： | 高桥弘行;稻叶秀雄;中川敦 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,关兆辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种按照SRAM规格动作、进行通常的存取时不会受更新影响而延迟，可以比现有技术缩短存储周期的半导体存储装置。ATD电路(4)接受到地址(Address)的变化，在地址时滞期间经过后，使地址变化检测信号(ATD)输出单触发脉冲。有写入请求时，在地址时滞期间内使写入使能信号(/WE)上升。首先，从单触发脉冲的上升开始写入或读出，写入时，使用前面的写入请求时提供的地址及数据进行延迟写入。然后，从单触发脉冲的下降到后续的存储周期的地址时滞期间结束之前进行更新。根据写入使能信号(/WE)的上升把地址及数据存入到寄存器电路(3，12)，以便下一写入请求时的延迟写入能够使用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：存储单元阵列，由需要更新的存储单元构成；存取电路，在对前述存储单元阵列进行对存取地址的读出或写入之后，进行前述存储单元阵列的更新；控制电路，在输入相对于前述存取地址非同步提供的写入请求及写入数据的存储周期之后的时刻，通过延迟写入，在前述存取电路中进行使用在该存储周期提供的前述存取地址及前述写入数据的写入。
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