[发明专利]光能转换装置

摘要

一种光能转换装置10，包含形成在衬底上的第一杂质掺杂的半导体层5，它是混有第一杂质的半导体材料层；形成在第一杂质掺杂的半导体层5上的光活性层6，它是含氢的非晶半导体材料层；和混有第二杂质并且形成在光活性半导体层6上的第二杂质掺杂的半导体层7。第二杂质掺杂的半导体层是氢浓度比光活性半导体层6的材料低的多晶半导体材料层。在光活性半导体层6和第二杂质掺杂的半导体层7之间的界面结构中，深度方向的平均晶粒粒径在从第二杂质掺杂的半导体层向衬底1前进的方向上逐步降低。通过控制第二杂质掺杂的半导体层7的氢浓度，显著降低了第二杂质掺杂的半导体层7中的悬挂键的数目，显示出较高的结晶度，提高了装置10的转换效率。

主权项

1.一种光能转换装置，包括：形成在衬底上的第一杂质掺杂的半导体层，所述第一杂质掺杂的半导体层是混有第一杂质的半导体材料层；形成在所述第一杂质掺杂的半导体层上的光活性层，所述光活性半导体层是含氢的非晶半导体材料层；和第二杂质掺杂的半导体层，混有第二杂质并形成在所述光活性半导体层上，所述第二杂质掺杂的半导体层是多晶半导体材料层，氢浓度比所述光活性半导体层的材料低；其中所述第二杂质掺杂的半导体层的平均晶粒粒径在从第二杂质掺杂的半导体层的表面向所述衬底前进的方向上逐步降低。