[发明专利]用于氧化硅设备的氧迁移膜无效
| 申请号： | 01807889.3 | 申请日： | 2001-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1455755A | 公开（公告）日： | 2003-11-12 |
| 发明（设计）人： | K·B·阿尔保;N·R·克斯卡 | 申请（专利权）人： | 普莱克斯技术有限公司 |
| 主分类号： | C01B15/14 | 分类号： | C01B15/14;C01B33/20;C25B13/00;C25C7/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张元忠,罗才希 |
| 地址： | 美国康涅*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一个生产高纯度二氧化硅的一体化体系，其包括含氧原料气源(2)，含有氧选择性迁移膜(15)的氧迁移膜电池(1)，该膜(15)是在足以分离该原料气中的氧的高温下通过把该原料气中的氧离子移过该膜(15)形成纯化的氧渗透，而耗尽氧的含杂质的残留物留在其阴极侧，一个从该源(2)至该膜电池(1)的阴极侧的通道(11)，硅源(25)和硅氧化炉(5)，与该膜电池阳极侧联系，用于该纯化的氧渗透与硅在对该反应有效的高反应温度下反应，以产生高纯度二氧化硅。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 氧化 设备 迁移 | ||
【主权项】：
1.一种生产高纯度二氧化硅的一体化体系，其包括：a)含有至少一种杂质的含氧原料气来源(2)，b)含有氧选择性迁移膜(15)的氧迁移膜电池(1)，其具有一个阴极侧和一个相对的阳极侧，该膜在高温下把该原料气中的氧从该杂质中分离出来是有效的，方法是把上述含氧原料气中的氧离子通过该膜迁移至上述阳极，在上述阳极侧上形成纯化的氧渗透，同时把耗尽氧的含杂质的残留物留在上述阴极侧，c)从上述源(a)至上述膜电池的阴极侧的一个通道(11)，d)硅源(25)，和e)硅氧化炉(5)，与上述膜电池(1)的阳极侧协同，用于上述纯化的氧渗透与来自该硅源(25)的硅在对反应有效的高反应温度下反应，以生产上述高纯度二氧化硅。
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