[发明专利]导体基片结构的校准方法无效
| 申请号： | 01808245.9 | 申请日： | 2001-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1425195A | 公开（公告）日： | 2003-06-18 |
| 发明（设计）人： | H·许布纳 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/98 | 分类号： | H01L21/98;H01L25/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 赵辛 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在集成电路的三维集成过程中，将变薄的半导体基片(1)安置在第二半导体基片中，并保持机械和电气连接。在此之后，在第二薄半导体基片(1)中形成持续接触孔(24)，该孔从基片背面(3)一直到基片正面(12)第一金属连线平面。为了将接触孔(24)与在正面(2)中安置的结构校准，在基片(1)的正面(2)设计了结构(4)，它可以作为正面(2)上的校准标记(7)。从结构(4)向外生长出一个有效层(15)，结构在基片(1)的背面(3)裸露，从而结构(4)能够从背面(3)用作校准标记(7)。这避免了在正面(2)与背面(3)上结构之间的校准误差。 | ||
| 搜索关键词： | 导体 结构 校准 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，用于校准基片正面和背面的结构，它有如下步骤：在基片(1)的正面(2)形成一种结构(4)；超出结构(4)以外生长出一个有效层(15)；从基片(1)的背面(3)裸露结构(4)，基片(1)的背面(3)与基片(1)的正面(2)相对。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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