[发明专利]生产Ⅲ族氮化物半导体装置的方法有效
| 申请号： | 01808301.3 | 申请日： | 2001-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN1425189A | 公开（公告）日： | 2003-06-18 |
| 发明（设计）人： | 千田昌伸;伊藤润;千代敏明;柴田直树;浅见静代 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L23/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 程金山 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出了一种适于用溅射法在基质上形成III族氮化物半导体层的优选条件。当用溅射法在基质上形成第一III族氮化物半导体层时，选择溅射装置的初始电压不高于溅射电压的110％。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 氮化物 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种生产III族氮化物半导体装置的方法，包含用溅射法在基质上形成第一III族氮化物半导体层的步骤，其中选择在所述步骤中的初始电压不高于溅射电压的110％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
