[发明专利]发光半导体元件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种GaN基的发光半导体元件，它的半导体本体由一个若干不同的GaN半导体层(1)的层叠构成。该半导体本体具有一个第一主面(3)和一个第二主面(4)，其中产生的辐射通过第一主面(3)输出，并在第二主面(4)上构成一个反射器(6)。此外，本发明涉及一种发明半导体元件的制造方法，其中首先在一个衬底(8)上设置一层夹层(9)，并在该夹层上设备若干GaN层(1)，这些GaN层构成该元件的半导体本体。然后去掉衬底(8)和中间层(9)，并在该半导体本体的一个主面上构成一个反射器(6)。

主权项

1.发光半导体元件，它的半导体本体由一个若干不同的III-V族-氮化物-半导体层(1)的层叠构成，该层叠具有第一个主面(3)和第二个主面(4)，其中产生的辐射(5)的至少一部分通过第一个主面(3)输出，其特征为，在第二个主面(4)上设置了一个反射器(6)。