[发明专利]具有温度补偿的单电源异质结场效应晶体管有效
| 申请号： | 01808675.6 | 申请日： | 2001-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN1452789A | 公开（公告）日： | 2003-10-29 |
| 发明（设计）人： | 黄健华;伊丽莎白·C·格拉斯;欧林·哈汀;温迪·L·瓦伦丁;胡里奥·科斯塔 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/06;H01L21/8252;H03K19/003 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于在单电源HFET中提供低压温度补偿的装置及其制造方法，该装置包括一个外延生长的化合物半导体层的叠层(14)，其中HFET(10)形成在该叠层中。在形成HFET的过程中，一个肖特基二极管(11)形成在与该HFET(10)相邻的叠层中。该HFET(10)和肖特基二极管(11)同时形成，并且形成HFET的栅极的一个金属层的一部分被设置为与具有低能带隙(例如，小于0.8eV)的叠层(14)的一个层面(19)相接触，以对该肖特极二极管提供小于1.8伏的导电电压。该肖特基二极管(11)通过一个门电路(48)连接到HFET的栅极接点，以补偿在该栅极电路中的电流随温度的变化。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 温度 补偿 电源 异质结 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种用于在单电源异质结场效应晶体管中提供低电压温度补偿的装置，其中包括：基片，包括形成在其上面的一叠外延生长的化合物半导体层；异质结场效应晶体管，其在该堆叠中形成并且具有一个带有源极和漏极电阻接点的沟道，以及一个栅极接点与该沟道有效地关联，该栅极接点包括多个金属层；以及肖特基二极管，其形成在该叠层中与异质结场效应晶体管相邻并且具有两个端子，该肖特基二极管包括与具有低能带隙的一个叠层相接触的多个金属层之一，该肖特基二极管具有负温度系数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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