[发明专利]载流子提取晶体管无效
| 申请号： | 01809671.9 | 申请日： | 2001-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN1429408A | 公开（公告）日： | 2003-07-09 |
| 发明（设计）人： | T·J·菲利普斯 | 申请（专利权）人： | 秦内蒂克有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/15;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,梁永 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种提取晶体管(10)－FET－包括借助p型InSb量子阱(22)在较宽带隙的各p型InAlSb层(20，24)之间延伸的导电沟道。InAlSb层之一(24)具有超薄的硅n－型δ－掺杂层(28)，它为量子阱(22)提供载流子的主要来源。它含有n+源极和漏极(30a，30b)以及绝缘栅极(30c)。另一InAlSb层(20)邻近具有电极(18)的衬底层(14)和衬底(16)上面的带隙更宽的阻挡层(19)。相对于衬底电极(18)将源极和漏极(30a，30b)之一或二者正向偏置，可在量子阱(22)中产生少数载流子提取，降低其导电率中的本征部分，使之进入非本征饱和状态，因而减小漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 载流子 提取 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种提取晶体管，其特征在于：a)它是一个场效应晶体管(10)，包括至少部分由量子阱(22)构成的导电区(20，22，24)；b)当所述晶体管(10)未加偏压且处在正常工作温度下时所述量子阱(22)处在至少部分本征导电状态；以及c)它至少包括一个结(24/30)，可以将后者偏置以降低所述量子阱(22)中的本征导电并将载流子主要限制在仅对应于非本征饱和态的一种类型。
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