[发明专利]利用快速热退火与氧化气体形成底部抗反射涂层的方法有效
| 申请号： | 01809904.1 | 申请日： | 2001-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN1430790A | 公开（公告）日： | 2003-07-16 |
| 发明（设计）人： | A·D·斯蒂芬;M·E·埃克斯特坎普;J·多恩 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊,程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种方法，该方法包含于基板层(105)上形成栅极介电层(110，410)，以及于栅极介电层(110，410)上形成栅极导体层(115，415)。该方法亦包括于栅极导体层(115，415)上形成无机底部抗反射涂覆层(120)，以及于进行快速热退火处理期间以氧化处理法(130)处理无机底部抗反射涂覆层(120)。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 快速 退火 氧化 气体 形成 底部 反射 涂层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：于基板层(105)上形成一栅极介电层(110，410)；于该栅极介电层(110，410)上形成一栅极导体层(115，415)；于该栅极导体层(115，415)上形成一无机底部抗反射涂覆层(120)；以及于快速热退火处理期间以氧化处理法(130)处理该无机底部抗反射涂覆层(120)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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