[发明专利]形成多层脱模衬垫的方法及用此方法形成的衬垫无效
| 申请号： | 01809920.3 | 申请日： | 2001-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN1431938A | 公开（公告）日： | 2003-07-23 |
| 发明（设计）人： | 苏文晨;刘吉·萨尔托尔;蔡国立;弗兰克·严泽·石;丹尼尔·迈耶;史蒂芬·胡夫;伯特·波杰尔;郭洪杰;阿德·范桑顿;阿尔诺德·H·克特尼斯;威廉姆·克赖;阿德里安·休姆;亚历山大·扬森;罗伯特·乔尔迪克 | 申请（专利权）人： | 艾弗里丹尼逊公司 |
| 主分类号： | B05D1/18 | 分类号： | B05D1/18;B05D1/30;B05D1/34;B05D1/36;B29C47/00;B29C47/06;B29C47/30;B29C47/92;B32B9/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈长会 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种多层硅酮脱模表面，其包括衬背、衬背上面的支撑层和支撑层上面的硅酮层。多层脱模表面的各个层基本上是同时沉积的。例如，可以使用双模或使用幕涂技术进行沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 多层 脱模 衬垫 方法 | ||
【主权项】：
1、一种多层脱模衬垫，其包括：衬背；覆盖衬背的支撑层；覆盖支撑层的含硅酮层，该硅酮层具有一个脱模表面；和其中，从脱模层表面向下连续1微米深度处的硅酮分布总的来看与至少为50％的硅酮总含量基本上是非线性关系。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾弗里丹尼逊公司，未经艾弗里丹尼逊公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01809920.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于通信质量量化的浮动费率计费方法
- 下一篇：等离子体显示板及其制造方法
