[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 01809999.8 | 申请日： | 2001-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN1430793A | 公开（公告）日： | 2003-07-16 |
| 发明（设计）人： | 中村勝光;楠茂;中村秀城 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰,叶恺东 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体器件是具有互相相向的第1主面及第2主面的半导体衬底和在第1主面侧具有绝缘栅结构而且在第1主面与第2主面之间流过主电流的功率器件，半导体衬底的厚度(t1)为50μm以上、250μm以下，而且在第1主面上具备实现低导通电压化及高击穿容量的绝缘栅型MOS晶体管结构。由此，能够实现低导通电压化、确保击穿容量、以及降低在高电压侧的开关损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其特征在于：具备：具有互相相向的第1主面及第2主面的半导体衬底；以及包含在上述第1主面侧具有绝缘栅结构、而且在上述第1主面与上述第2主面之间流过主电流的绝缘栅型场效应晶体管部的元件，上述半导体衬底的厚度为50μm以上、250μm以下。
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