[发明专利]微加工的流体设备及其制造方法有效
| 申请号： | 01810027.9 | 申请日： | 2001-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN1430703A | 公开（公告）日： | 2003-07-16 |
| 发明（设计）人： | H·T·范林特尔;D·马耶费;S·甘佩 | 申请（专利权）人： | 韦斯顿布里奇国际有限公司 |
| 主分类号： | F04B43/04 | 分类号： | F04B43/04 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 鲍玲,王刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的一种流体流动设备(100)包括一个被一封闭片(20)覆盖的叠层(30)，所述叠层(30)包括一个支撑晶片(36)、一绝缘材料层(34)、以及一硅层(32)。所述封闭片(20)和/或所述硅层(32)加工成在所述封闭片(20)和所述硅层(32)之间形成一个空腔(38)。所述支撑晶片(36)中至少有一个管道(102)完全贯通该层，所述绝缘材料层(34)至少具有一个完全没有材料的区域(35)，该区域至少与所述管道(102)在一条直线上从而与所述空腔(38)配合并在所述硅层(32)内形成一个移动部件(40)，该移动部件适于在所述空腔(38)的液体压力下反向移向所述支撑晶片(36)，直至所述移动部件(40)和所述支撑片(36)接触为止。 | ||
| 搜索关键词： | 加工 流体 设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种流体流动设备(100，400，500)，其包括一个被一封闭片(20)覆盖的叠层(30)，所述叠层(30)包括一个支撑晶片(36)、一覆盖所述至少一部分支撑晶片(36)的绝缘材料层(34)、以及覆盖所述绝缘材料层(34)并被所述封闭片(20)所覆盖的单晶硅或多晶硅层(32)，所述封闭片(20)和/或所述硅层(32)加工成在所述封闭片(20)和所述硅层(32)之间形成一个空腔(38)以便注入液体，所述支撑晶片(36)中至少有一个完全贯通支撑晶片的管道(102，412，412’)，以及所述绝缘材料层(34)由氧化硅材料制成并至少具有一个完全没有材料的区域(35)，该区域至少与所述管道(102，412，412’)在一条直线上从而与所述空腔(38)配合并在所述硅层(32)内形成一个移动部件(40)，该移动部件响应于所述空腔(38)内的液体压力反向移向所述支撑晶片(36)。
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