[发明专利]以磷掺杂硅并在蒸汽存在下生长硅上氧化物的方法有效
| 申请号： | 01810210.7 | 申请日： | 2001-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN1432192A | 公开（公告）日： | 2003-07-23 |
| 发明（设计）人： | J·E·拉普;R·B·亘斯基 | 申请（专利权）人： | 特克尼格拉斯公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L21/38 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华,罗才希 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种掺杂硅的方法，它包括在第一温度下以与固体磷掺杂源呈有间距的形式放置硅晶片达足够时间，以在晶片的表面上沉积含磷层，接着在低于第一温度的第二温度下，用湿氧或热解蒸汽氧化掺杂的硅晶片。在氧化步骤期间，该硅晶片保持与固体磷掺杂源呈有间距的方式。选择温度使在第一温度下固体磷掺杂源放出P2O5，第二温度明显低于第一温度，以在氧化步骤期间能降低从固体磷掺杂源的P2O5的放出。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 蒸汽 在下 生长 氧化物 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掺杂硅晶片方法，它包括下列步骤：在第一温度下，以与固体磷掺杂源呈有间距的形式放置硅晶片达足够时间，以在晶片表面上沉积含磷层；在低于第一温度的第二温度下，用湿氧化法氧化该掺杂的硅晶片；在氧化步骤期间保持硅晶片与固体磷掺杂源呈有间距的形式。
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