[发明专利]光刻胶去除剂混合物有效
| 申请号： | 01810235.2 | 申请日： | 2001-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN1434931A | 公开（公告）日： | 2003-08-06 |
| 发明（设计）人： | 尹锡壹;朴英雄;吴昌一;李相大;柳终顺 | 申请（专利权）人： | 东进瑟弥侃株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在制造诸如大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)的半导体装置时所采用的去除光刻胶的光刻胶去除剂混合物。本发明包含：含量为2～20％(质含量)的水溶性羟胺；含量为5～15％(质含量)的含有2或3个羟基的肟化合物；以及含量为30～55％(质含量)的烷基胺。本发明涉及的光刻胶去除剂混合物能够容易并且快速的去除烘烤、干蚀刻和灰化过程产生的光刻胶层以及在这些过程中，由于蚀刻和灰化气与光刻胶进行反应，在底层金属膜上产生的侧壁光刻胶聚合体。特别是，光刻胶去除剂混合物具有良好的从铝层、铝合金层和氮化钛层上去除侧壁光刻胶聚合体的性能。此外，在去除光刻胶的过程中，光刻胶去除剂混合物能降低对底层金属膜的腐蚀，特别是，降低在64MDRAM和更多－VLSL生产线中采用的新金属层的腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 去除 混合物 | ||
【主权项】：
1.一种光刻胶去除剂混合物，包括：a)含量为2～20％(质含量)的水溶性羟胺；b)含量为5～15％(质含量)的肟化合物；c)含量10～45％(质含量)的水；d)含量为4～15％(质含量)的含有2或3个羟基的有机苯酚化合物；以及e)含量为30～55％(质含量)的烷基胺。
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