[发明专利]在半导体制造中工艺气体的流量控制

摘要

半导体制造中用于控制工艺气体的分批输送的一种流量控制系统和方法。其中该流量控制系统可于输送周期内在输送一批工艺气体的流动模式下和或者非流动模式下运行。在启动输送后，于测量周期测量该系统基准容积中气体的压降，同时中断从工艺气体源到基准容积的工艺气体的流动，并且继续以被控制流量从该系统向半导体制造设备输送工艺气体。在测量周期基准容积中的压降的速率被用于确定实际的流量。当实际流量不符合输送的指定流量时，在后继的输送周期内调节了被控制流量，在该后继的输送周期内输送了另一批工艺气体。在包含高达20个装置的流量控制系统组中，节省了重要的空间。

主权项

1.使用流量控制系统在半导体制造中分批地输送工艺气体的一种控制方法，该流量控制系统可在输送一批工艺气体的流动模式下和或者在非流动模式下运行，所述的方法包括：在输送期间以控制流量，通过所述流量控制系统的流通管线，从被压缩的工艺气体源向半导体制造设备输送一批工艺气体，所述流量控制系统的管线包含：用于确定在所述管线中所述工艺气体的被调节压力的压力调节器；在所述压力调节器下游的开/关阀，用于启动和停止所述流动模式，在所述流动模式中在所述工艺气体于所述输送期间被送到所述设备；和在所述压力调节器的所述管线上游的基准容积，用于测量所述输送的实际流量；在所述批量工艺气体的所述输送开始之后，于测量周期测量所述基准容积中所述工艺气体的压降，同时中断工艺气体通过所述管线到所述基准容积的流动，并且继续以所述受控的流量从所述流量控制系统的所述管线向所述半导体设备输送工艺气体；于所述测量周期，由所述测量确定所述基准容积中压降速率和被输送的所述批量工艺气体的实际流量，以及在所述实际流量不符合所述输送的指定流量的情况下，于后继的输送期间从所述实际流量朝所述指定流量的方向调节所述控制流量，在该后继的输送期间，输送了另一批工艺气体。