[发明专利]量子磁性存储器无效
| 申请号： | 01810324.3 | 申请日： | 2001-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN1432178A | 公开（公告）日： | 2003-07-23 |
| 发明（设计）人： | E·C·汉纳;M·A·布朗 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11B5/00 | 分类号： | G11B5/00;G11B11/11;G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种采用自旋极化电子束在磁性介质上存储数据的系统。该系统包括自旋极化电子束源和距离该源为选择距离设置的存储介质。存储介质具有多个存储位置，每个存储位置包括夹在第一和第二层半金属化材料之间的一层磁性材料。最终层叠结构形成自旋相关电子陷阱，增加了处于第一自旋状态的射束电子和处于第二自旋状态的电子之间的耦合。电子光学系统引导自旋极化电子束源到多个存储位置。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 磁性 存储器 | ||
【主权项】：
1、一种用于储存数据的系统，包括：自旋极化电子束源；和与自旋极化电子束相互作用的介质，该介质包括夹在第一和第二层自旋镜面材料之间的磁性材料层，以便形成自旋相关量子阱。
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