[发明专利]一种在使用下游等离子体的绝缘蚀刻器中的改进的抗蚀剂剥离有效
| 申请号： | 01810393.6 | 申请日： | 2001-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN1432190A | 公开（公告）日： | 2003-07-23 |
| 发明（设计）人： | J·马克斯 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/311 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新,梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种实现介质刻蚀、刻蚀掩膜剥离、和刻蚀腔体清洗的方法和设备。在刻蚀腔体内放入晶片。在刻蚀腔体内，使用一种由原位等离子体装置产生的原位等离子体对晶片实现介质刻蚀。使用一种由与刻蚀腔体连接的远程等离子体装置产生的远程等离子体剥离刻蚀掩膜。从刻蚀腔体取出晶片，或使用原位等离子体或使用远程等离子体来清洗刻蚀腔体。在没有使用约束环的刻蚀腔体中，用加热器加热刻蚀腔体壁来提供改进的清洗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 下游 等离子体 绝缘 蚀刻 中的 改进 抗蚀剂 剥离 | ||
【主权项】：
1.一种对布置在衬底上的介质层进行刻蚀的设备，该设备包括：一个绝缘刻蚀腔体；和一个与绝缘腔体连接用以给绝缘刻蚀腔体内部提供反应物质的远程等离子体源。
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