[发明专利]闪存阵列中页面模式擦除无效
| 申请号： | 01810579.3 | 申请日： | 2001-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN1432181A | 公开（公告）日： | 2003-07-23 |
| 发明（设计）人： | A·古普塔;S·舒曼恩 | 申请（专利权）人： | 阿特梅尔股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/16 | 分类号： | G11C16/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了在闪存阵列的一个扇区中页面擦除和多页面擦除的操作模式。在页面擦除和多页面擦除的操作模式中，将大约－10伏的优选隧道(效应)电位加到选中作擦除的行(或多行)上闪存单元的栅极上，连接到闪存单元的漏级的位线被驱动到大约6.5伏的优选电压。为了减少对非选中行或多行上存储器单元的非预期擦除，将大约1－2伏的优选偏置电压加到所有非选中行的闪存单元的栅极上。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 阵列 页面 模式 擦除 | ||
【主权项】：
1.在由多行和多列组成的闪存阵列(其中字线与阵列的每一行相关联，而位线与阵列的每一列相关联)中，存储器包括多个存储器单元，每个存储器单元与阵列中的一条行线和一条列线相关联，每个存储器单元包括晶体管，后者具有连接到各行线中与之相关联的一条行线的控制栅极、浮置栅极、连接到存储器阵列的共用电源节点的源极和连接到各列线中与之相关联的一条列线的漏极，在所述阵列的一行上进行擦除操作的方法包括：将第一电压加到与待擦除的行相关联的所述行线上；将比所述第一电压正值大的第二电压加到与阵列中除所述待擦除的行之外其它行相关联的行线上；以及将比所述第二电压正值大的第三电压加到阵列中的每条位线上，所述第一和第三电压之间的电压差的大小应足以使电子从所述浮置栅极穿通，且所述第二和第三电压之间的电压差的大小应使所述浮置栅极较不易产生隧道效应。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿特梅尔股份有限公司，未经阿特梅尔股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01810579.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：防盗电池
- 下一篇：HOLTER系统中起搏信号的硬件捕捉提取方法及装置
