[发明专利]在化学汽相淀积工艺中使用的改进的基座有效
| 申请号： | 01810809.1 | 申请日： | 2001-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN1434884A | 公开（公告）日： | 2003-08-06 |
| 发明（设计）人： | R·W·斯坦德利;C·C·扬 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12;C30B29/06;C30B25/02;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静,李峥 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了在外延淀积装置和工艺中使用的改进基座。改进基座具有能够支撑半导体晶片的内环形架，并且在表面中有多个孔，在外延淀积工艺期间使用的清洁气体穿过基座并接触基本上整个半导体晶片的背面，并除去了自然氧化层。此外，基座上的多个孔使外延淀积工艺期间从背面向外扩散的掺杂剂原子被惰性气体流从正面带走并送入到排气装置内，由此减少了正面的自掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 汽相淀积 工艺 使用 改进 基座 | ||
【主权项】：
1.一种在化学汽相淀积工艺中使用的装置，其中外延硅层生长在半导体晶片上，半导体晶片具有正面和背面，该装置包括：按规定尺寸制作和构形以支撑半导体晶片的基座，基座具有开口密度约为0.2开口/cm2和约4开口/cm2之间的表面，该表面通常与半导体晶片相对地并排设置，以使流体穿过接触半导体晶片的背面。
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