[发明专利]半导体激光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 01810864.4 | 申请日： | 2001-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN1434996A | 公开（公告）日： | 2003-08-06 |
| 发明（设计）人： | 松村拓明 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能进行稳定的横模振荡，能射出具有优异远场图(F.F.P.)的激光的半导体激光元件，它包括依次叠层了第一导电型的半导体层、活性层和与所述第一导电型不同的第二导电型的半导体层的层状结构体，在所述活性层及其附近形成有限制光在宽度方向上扩散，将光引导到与该宽度方向垂直的方向上的波导路区域，波导路区域具有第一波导路区域和第二波导路区域，第一波导路区域是通过限制活性层的宽度，利用该活性层和其两侧的区域之间的折射率差，将光关闭在其所限制的活性层内的区域；第二波导路区域是通过在所述活性层中有效地设置折射率差来将光关闭的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光元件，包括依次叠层了第一导电型的半导体层、活性层和与所述第一导电型不同的第二导电型的半导体层的层状结构体，在所述活性层及其附近形成有限制光在宽度方向上扩散，将光引导到与该宽度方向垂直的方向上的波导路区域，其特征在于：所述波导路区域具有第一波导路区域和第二波导路区域；所述第一波导路区域是通过限制所述活性层的宽度，利用该活性层和该活性层两侧的区域之间的折射率差，将光关闭在其所限制的活性层内的区域；所述第二波导路区域是通过在所述活性层中有效地设置折射率差来将光关闭的区域。
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