[发明专利]氮化镓层的制备方法有效
| 申请号： | 01810897.0 | 申请日： | 2001-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN1436365A | 公开（公告）日： | 2003-08-13 |
| 发明（设计）人： | F·赛蒙德;J·C·马西斯;N·P·格兰简 | 申请（专利权）人： | 法国国家科学研究中心 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/205;C30B25/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 段晓玲,罗才希 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及通过能在层中造成拉应力的基体上的氮化镓或镓和其他金属的混合氮化物的无裂纹单晶层，所述基体覆盖一层缓冲层；其中至少一层单晶材料层嵌入氮化镓或镓和其他金属的混合氮化物层中，所述材料的厚度是100－300纳米，优选地200－250纳米，其晶胞参数小于氮化镓或镓和其他金属的混合氮化物的晶胞参数。还涉及这种层的制备方法。以及涉及含有这个层的电子和光电子设备。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、通过能在层中造成拉应力的基体上的氮化镓或镓和其他金属的混合氮化物的无裂纹单晶层，所述基体覆盖一层缓冲层；其中至少一层单晶材料层嵌入氮化镓或镓和其他金属的混合氮化物层中，所述单晶材料的厚度是100-300纳米，优选地200-250纳米，其晶胞参数小于氮化镓或镓和其他金属的混合氮化物的晶胞参数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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