[发明专利]具有双扩散体分布的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管无效
| 申请号： | 01811188.2 | 申请日： | 2001-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1436371A | 公开（公告）日： | 2003-08-13 |
| 发明（设计）人： | 石甫渊;苏根政 | 申请（专利权）人： | 通用半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谷惠敏,袁炳泽 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 说明了一种沟槽MOSFET器件及其制作方法。该沟槽MOSFET包括：(a)第一导电类型的衬底；(b)衬底上的第一导电类型的外延层，该外延层的多数载流子浓度低于衬底；(c)在外延层中的多个沟槽；(d)第一绝缘层，例如氧化物层，衬于沟槽中；(e)导电区域，例如多晶性硅区域，位于靠近第一绝缘层的沟槽中；(f)一个或多个沟槽体区和一个或多个端部体区，它们位于外延层的上部分，端部体区延伸到外延层内的深度大于沟槽体区；每个沟槽体区和每个端部体区包括(1)第二导电类型的第一区域，该第二导电类型与第一导电类型相反，和(2)靠近第一区的第二导电类型的第二区域，该第二区域的多数载流子浓度高于第一区域，而且第二区域位于第一区域的上面；和(g)第一导电类型的多个源区，位于靠近沟槽体区的上部中的沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 扩散 分布 沟槽 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽MOSFET器件，包括：第一导电类型的衬底；衬底上的第一导电类型的外延层，所述的外延层的多数载流子浓度低于衬底；在所述的外延层中的多个沟槽；第一绝缘层，衬于所述的沟槽中；导电区域，位于靠近第一绝缘层的沟槽中；一个或多个沟槽体区和一个或多个端部体区，它们位于所述的外延层的上部分，所述的端部体区延伸到所述的外延层内的深度大于所述的沟槽体区；每个沟槽体区和每个端部体区包括(a)第二导电类型的第一区域，所述的第二导电类型与所述的第一导电类型相反，和(b)靠近所述的第一区的第二导电类型的第二区域，所述的第二区域的多数载流子浓度高于所述的第一区域，而且所述的第二区域位于所述的第一区域的上面；和所述的第一导电类型的多个源区，位于所述的靠近沟槽体区的上部中的所述的沟槽。
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