[发明专利]基于近红外分光计控制金属层蚀刻过程及再生用于金属层蚀刻过程的腐蚀剂的方法有效

专利信息
申请号: 01811690.6 申请日: 2001-03-27
公开(公告)号: CN1439118A 公开(公告)日: 2003-08-27
发明(设计)人: 李其范;朴美仙;金钟民;金柄郁;吴昌一 申请(专利权)人: 东进半导体化学株式会社
主分类号: G03F7/30 分类号: G03F7/30
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 关兆辉,张天舒
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在对制造半导体装置或液晶显示器的金属层蚀刻过程进行控制的控制方法中,首先利用NIR分光计对金属层蚀刻过程中使用的腐蚀剂成分进行分析。然后,通过将分析的成分与基准成分进行比较,确定腐蚀剂的状态。如果腐蚀剂的寿命已经结束,则利用新腐蚀剂替换该腐蚀剂。相反,如果该腐蚀剂的寿命还没有结束,则将该腐蚀剂输送到下一个金属层蚀刻过程。以同样的方式还可以将该分析技术应用于腐蚀剂再生过程。
搜索关键词: 基于 红外 分光计 控制 金属 蚀刻 过程 再生 用于 腐蚀剂 方法
【主权项】:
1.一种用于控制金属层蚀刻过程的控制方法,该方法包括下列步骤:利用近红外分光计,对制造半导体装置或液晶显示器的金属层蚀刻过程使用的腐蚀剂成分进行分析;通过将分析的成分与基准成分进行比较,确定该腐蚀剂是否还可以使用;以及如果该腐蚀剂不能使用了,则利用新腐蚀剂替换该腐蚀剂,或者如果该腐蚀剂还可以使用,则将该腐蚀剂用于下一个金属层蚀刻过程。
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