[发明专利]制造镀镍的铜基片的方法以及含有此基片的薄膜复合材料无效
| 申请号： | 01811896.8 | 申请日： | 2001-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1466634A | 公开（公告）日： | 2004-01-07 |
| 发明（设计）人： | 马克·法雷利 | 申请（专利权）人： | 艾纳尔杰纽斯公司 |
| 主分类号： | C23C26/00 | 分类号： | C23C26/00;C23C28/00;H01G4/30 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 丁业平;王维玉 |
| 地址： | 加拿大*** | 国省代码： | 加拿大;CA |
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| 摘要： | 本发明涉及一种通过对镀镍的铜进行退火来制造铜/镍基片的方法。在镀镍步骤之后，可以用本领域公知的方法比如溶胶－凝胶或真空淀积方法在基片上淀积一电介质层比如锆钛酸铅(PZT)。本发明还涉及薄膜复合材料。这些复合材料含有经预退火的镀镍铜基片和电介质层比如PZT。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 铜基片 方法 以及 含有 薄膜 复合材料 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜复合材料，包括：(a)镀镍的铜基片；和(b)位于该镀镍的铜基片之上的电介质层。
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