[发明专利]磁阻传感器里的屏蔽设计无效

专利信息
申请号: 01811971.9 申请日: 2001-05-24
公开(公告)号: CN1439157A 公开(公告)日: 2003-08-27
发明(设计)人: D·麦肯;A·B·约翰斯顿;H·S·埃德尔曼 申请(专利权)人: 西加特技术有限责任公司
主分类号: G11B5/39 分类号: G11B5/39
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 吴明华
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一磁性传感器包括磁阻传感器元件(160)和与该磁阻传感器元件(160)连接的电触头,以便检测磁阻元件对磁场的响应。一磁屏蔽(150)位于磁阻元件(160)的附近,以便使磁阻元件(160)与杂散的磁场隔开。该屏蔽(150)具有基本稳定的磁畴图形。一屏蔽通量取样器(180)一般位于屏蔽(150)的平面里并通过一间隙(182)与屏蔽(150)隔开。
搜索关键词: 磁阻 传感器 屏蔽 设计
【主权项】:
1.一种在磁存储装置里的磁性传感器,包括:一磁阻传感器元件;电触头,与磁阻元件连接,以便检测磁阻元件对磁场的响应;磁屏蔽,靠近磁阻元件,以便使磁阻元件与杂散的磁场隔开,该屏蔽具有一基本稳定的磁畴图形;以及一屏蔽通量取样器,通常在屏蔽的平面里并通过一间隙与屏蔽隔开,通量取样器和屏蔽合作以减少屏蔽里的退磁场。
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