[发明专利]形成具有洁净区的外延硅片的方法和装置

摘要

提供一种用于在制造电子元件所用的半导体晶片上形成一个洁净区和一个外延层的装置和方法。该洁净区和外延层都在一个室中形成。该装置包括多个固定安装在一个衬托器上的直立柱销，并在施加外延层和形成洁净区过程中使半导体晶片与衬托器间隔开。在晶片的冷却过程中，通过使晶片与衬托器脱离导热传递关系而完成快速冷却。

主权项

1.一种在半导体晶片中产生洁净区的方法，该方法包括：将半导体晶片安放在一个室中并对半导体晶片的表面施加一外延涂层，在涂层施加过程中上述半导体晶片与一衬托器成热传递关系，并且其中，半导体晶片在施加涂层过程中支靠在多个柱销上，从而在施加涂层过程中，上述半导体晶片具有一个与衬托器间隔开至少约1mm距离的主要大部分；用一热源将上述加了涂层的半导体晶片在上述室中加热到至少约1175℃的高温，同时保持半导体晶片与衬托器之间的上述距离；和将上述加了热和加了涂层的半导体晶片以至少约10℃/秒的速率冷却，同时保持半导体晶片和上述衬托器之间的上述距离，直至上述半导体晶片达到表面温度低于约850℃，从而形成一个洁净区。