[发明专利]相对于未掺杂二氧化硅和氮化硅能选择性蚀刻掺杂二氧化硅的蚀刻剂,其使用方法和形成的结构有效
| 申请号： | 01812321.X | 申请日： | 2001-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN1451176A | 公开（公告）日： | 2003-10-22 |
| 发明（设计）人： | K·Y·郭;L·李;G·T·布莱洛克 | 申请（专利权）人： | 微米技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 周承泽 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种包含C2HxFy蚀刻剂，其中x是2－5的整数，y是1－4的整数，x+y等于6。该蚀刻剂能以相对于未掺杂二氧化硅和氮化硅的选择性蚀刻掺杂的二氧化硅。因此，在使用含C2HxFy的蚀刻剂的干蚀刻法中，可使用未掺杂二氧化硅和氮化硅作为蚀刻终止层。C2HxFy可用作主蚀刻剂或用作另一种蚀刻剂或蚀刻剂混合物中的添加剂。还公开了包括按照本发明方法使用本发明蚀刻剂进行图形化的结构的半导体器件(10)。具体而言，本发明提供一个半导体器件(10)，该器件包括具有基本垂直的侧壁(34)和相邻于侧壁(34)露出的相邻未掺杂二氧化硅或氮化硅结构(36)的垂直二氧化硅结构(24)。 | ||
| 搜索关键词： | 相对于 掺杂 二氧化硅 氮化 选择性 蚀刻 使用方法 形成 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：包括活性表面的半导体基材；在所述半导体基材上的至少一个未掺杂硅氧化物结构；至少一个掺杂的硅氧化物结构，至少部分地位于所述至少一个未掺杂硅氧化物结构之上，包括至少一个取向基本垂直于所述基材平面的侧壁、所述至少一个侧壁终结于所述至少一个未掺杂的硅氧化物结构，所述活性表面在侧面靠近所述至少一个侧壁上至少部分露出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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