[发明专利]氮化物半导体元件在审
| 申请号： | 01812428.3 | 申请日： | 2001-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN1440579A | 公开（公告）日： | 2003-09-03 |
| 发明（设计）人： | 小崎德也 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明作为夹入p型氮化物半导体层11、n型氮化物半导体层13的活性层12，至少具有：具有n型杂质的阻挡层2a；由包含In的氮化物半导体构成的井层1a；具有p型杂质的、或者以无掺杂而使其生长的阻挡层2c，通过配置该阻挡层2作为最接近p型层一侧的阻挡层，就可以注入适当的载流子到活性层12。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体元件，具有以p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层夹着具有由包含In的氮化物半导体构成的井层和由氮化物半导体构成的阻挡层的量子井结构的活性层的结构，其特征在于：所述活性层作为所述阻挡层，具有配置在最接近所述p型氮化物半导体层的位置上的第一阻挡和与该第一阻挡层不同的第二阻挡层，并且，所述第一阻挡层实质上不包含n型杂质，所述第二阻挡层包含n型杂质。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日亚化学工业株式会社，未经日亚化学工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01812428.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
