[发明专利]解决与蚀刻沟道过程有关的光学边缘效应的器件与方法

摘要

根据本发明的第一方面，提供了一种改进型半导体衬底。该改进型半导体衬底包括：1)半导体衬底；2)至少一层缓冲层，它设置在至少部分衬底上；以及3)多个沟道，它包括a)多个内部沟道，其延伸到半导体衬底内以及b)至少一个浅薄的外围沟道，延伸到至少一层缓冲层内但是不延伸到半导体衬底内。根据本发明的另一个方面，提供了一种在半导体衬底内选择成型沟道的方法。根据本发明的又一个方面，提供了一种包括至少一个外围沟道和多个内部沟道的沟道DMOS晶体管结构。该结构包括：1)第一导电型衬底；2)体区，它位于衬底上，所述体区具有第二导电型，其中外围沟道和内部沟道通过该体区延伸；3)绝缘层，嵌入每个外围沟道与内部沟道之间；4)第一导电电极，覆盖每个绝缘层；以及5)第一导电型的源极区，位于与每个内部沟道相邻，但是与至少一个外围沟道不相邻的体区内。

主权项

1.一种在半导体衬底上提供沟道的方法，该方法包括：提供半导体衬底；在所述衬底上提供构图的抗蚀刻层，所述构图层具有多个沟道孔径，它包括(a)至少一个外围沟道孔径和(b)多个内部沟道孔径；在每个外围沟道孔径与半导体衬底之间提供至少一层缓冲层；以及执行蚀刻处理，其中在所述半导体衬底上的每个内部沟道孔径位置蚀刻内部沟道，并且其中通过所述至少一层缓冲层，防止外围沟道在每个外围孔径位置蚀刻进所述半导体衬底。