[发明专利]用于光发射设备的驱动电路有效

专利信息
申请号: 01812969.2 申请日: 2001-07-18
公开(公告)号: CN1443386A 公开(公告)日: 2003-09-17
发明(设计)人: 水野诚一郎 申请(专利权)人: 浜松光子学株式会社
主分类号: H01S5/042 分类号: H01S5/042;H01L33/00;H04B10/04
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 李强
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种驱动电路具备一个源跟随器电路2、一个源跟随器电路3和一个PMOS-FET4,其中,该源跟随器电路2由连接到光发射装置1的阳极侧上并且适合于直接激励光发射装置1的一个NMOS-FET组成;该源跟随器电路3由一个PMOS-FET(该PMOS-FET栅极端子被连接到由NMOS-FET组成的源跟随器电路2的源极端)组成;该PMOS-FET4适合于提供一个电流给由PMOS-FET组成是的源跟随器电路3。
搜索关键词: 用于 发射 设备 驱动 电路
【主权项】:
1.一种用于光发射装置的驱动电路,包括:第一源跟随器电路,其包括一个具有一个栅极端的NMOS-FET并用于根据进入该栅极端的一个输入电压而提供一个驱动电流给所述的光发射装置;第二源跟随器电路,其包括一个第一PMOS-FET,该第一PMOS-FET具有与在所述的第一源跟随器电路的下游的一个节点相连的一个栅极端;和第二PMOS-FET,其具有一个栅极端并用于根据进入所述的栅极端的一个输入电压而给所述的第二源跟随器电路提供一个电流;其中,在所述的第一PMOS-FET和所述的第二PMOS-FET之间的一个电位被作为所述的输入电压而被提供给所述的NMOS-FET的所述的栅极端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浜松光子学株式会社,未经浜松光子学株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/01812969.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top