[发明专利]层叠的磁记录介质无效
申请号: | 01813420.3 | 申请日: | 2001-07-06 |
公开(公告)号: | CN1444762A | 公开(公告)日: | 2003-09-24 |
发明(设计)人: | 霍亚·范多;埃里克·E·富勒顿;戴维·T·马古利斯;哈尔·J·罗森 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | G11B5/66 | 分类号: | G11B5/66 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李晓舒,魏晓刚 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种用于数据存储的层叠磁记录介质采用了一种磁记录层,该层至少有两个被非铁磁间隔层分隔的反铁磁耦合(AFC)层。每个AFC层形成为通过一个反铁磁耦合膜反铁磁耦合在一起的两层铁磁膜,该反铁磁耦合膜具有引发第二膜与第一膜的反铁磁耦合的成分和厚度。每个AFC层中的两个反铁磁耦合膜的磁矩反平行取向,并且因而每个AFC层的净磁化强度-厚度乘积(Mrt)为两个铁磁膜的Mrt值之差。两个相邻的AFC层之间的非铁磁间隔层具有足以防止一个AFC层的铁磁膜与相邻AFC层的铁磁膜的任何反铁磁耦合的成分和厚度。 | ||
搜索关键词: | 层叠 记录 介质 | ||
【主权项】:
1.一种磁记录介质,包括:一个基底;该基底上的一个磁记录层(30′),其包括第一(34′)和第二(32′)反铁磁耦合(AFC)层和分隔两个AFC层的非铁磁间隔层(36′),每个AFC层包括第一铁磁膜(44,54)、第二铁磁膜(42,52)和位于第一与第二膜之间并具有足以提供第一和第二膜的反铁磁耦合的厚度和成分的反铁磁耦合膜(46,56),该非铁磁间隔层位于第一AFC层的第二膜和第二AFC层的第一膜之间,并具有足以防止第一AFC层的第二膜和第二AFC层的第一膜之间任何显著耦合的厚度和成分。
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