[发明专利]抗铁磁性耦合的磁记录介质无效
| 申请号： | 01813696.6 | 申请日： | 2001-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN1446354A | 公开（公告）日： | 2003-10-01 |
| 发明（设计）人： | M·F·德尔纳;E·E·富勒顿;D·T·马古利斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 李峥,于静 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种存储数据用的磁记录介质使用了一种磁记录层，该磁记录层有至少两个跨过一非铁磁性间隔膜抗铁磁性地交换耦合在一起的铁磁性膜。在这一抗铁磁性耦合(AFC)记录层中，该两个铁磁性膜的磁矩的取向是逆平行的，这样，该AFC记录层的净剩余磁化强度－厚度之积(Mrt)是这两个铁磁性膜的Mrt值之差。这一Mrt的降低是在不降低记录介质热稳定性的情况下实现的。AFC记录层中的下层铁磁性膜是不含硼的铁磁性CoCr合金，其不需要在它和Cr合金底层之间的成核层。铁磁性CoCr合金有足够的饱合磁化强度(MS)，以使AFC记录层具有极好的磁记录性能，同时又作为模板或成核层以诱导间隔层及顶部铁磁性含硼铁磁性膜的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 铁磁性 耦合 记录 介质 | ||
【主权项】：
1.一种磁记录盘，包括：基片；在基片上选自包含Cr及Cr合金的组的非铁层性底层；直接在底层上形成并与底层接触的第一铁磁性膜，该第一铁磁性膜是含有钴(Co)和铬(Cr)的合金，其中Cr在合金中的原子百分比在大约11和25之间；在第一铁磁性膜上的非铁磁性间隔膜；以及在间隔膜上的第二铁磁性膜，该第二铁磁性膜是含有Co和B的合金，该第二铁磁性膜跨过间隔膜与第一铁磁性膜抗铁磁性地交换耦合。
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