[发明专利]存储单元,存储单元装置和制造方法有效
| 申请号： | 01813957.4 | 申请日： | 2001-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN1446378A | 公开（公告）日： | 2003-10-01 |
| 发明（设计）人： | H·帕尔姆;J·威尔默;A·格拉茨;J·克里滋;M·雷赫里奇 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8246;H01L29/792;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,张志醒 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 每个存储单元均为一个存储晶体管，其安置于半导体本体的顶面，其具有位于源极区(3)和漏极区(4)之间的沟槽中的栅电极(2)，源极区和漏极区形成于半导体材料之中。栅电极通过电介质材料与半导体材料相隔离。至少在源极区与栅电极之间和漏极区与栅电极之间具有一个“氧化物—氮化物—氧化物”层序列(5，6，7)，其用于在源极和漏极捕获电荷载流子。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有存储晶体管的存储单元，晶体管位于半导体本体(1)或半导体层的顶面上，具有位于源极区和漏极区之间的栅电极(2)，源极区(3)和漏极区(4)形成于半导体材料之中，并且栅电极通过电介质材料与半导体材料隔离，其特征在于至少在源极区(3)与栅电极(2)之间和漏极区(4)与栅电极(2)之间具有一个包括存储层(6)的层序列，存储层(6)处于边界层(5，7)之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
