[发明专利]将金属接点沉积在埋栅太阳能电池上的方法及由该方法获得的太阳能电池

摘要

用金属化埋栅太阳能电池的一个或多个金属接点的方法制造的一种埋栅太阳能电池，该埋栅太阳能电池具有掺杂半导体材料本体，其中通过以下步骤通过按一个或多个凹槽的图形配置在半导体材料中的导电材料提供电接点：通过化学镀然后烧结将晶种层应用在凹槽中的外露半导体材料上，通过化学镀将导电基层应用到所述晶种层的顶部以及通过使用另外包括整平添加剂以及抑制添加剂的传统电解槽、使用基本上恒定的电池电压的电解电镀，用导电接点形成材料填充凹槽。

主权项

1、一种用于金属化具有掺杂的半导体材料本体的埋栅太阳能电池的一个或多个接点的方法，该本体具有两个主要的相对面，该两个主要的相对面形成均具有一个或多个电接点的光入射面以及背面，该本体还在该主要相对面间具有一个或多个侧面，其中在光入射面的电接点是通过按一个或多个凹槽的图形配置在光入射面的半导体材料中的导电材料来形成的，该方法包括步骤：a)提供具有p/n节以及在光入射面以及任选的其他表面上具有一电绝缘层的半导体本体，该电绝缘层是透光的而且对化学镀不起催化作用；b)在一个或多个侧面上提供外露的表面；c)提供从光入射面经绝缘层并进入半导体本体的深度为20-50μm，以及在光入射面的水平面上宽10-30μm的一个或多个凹槽；d)对在步骤c)中获得的凹槽中的外露材料掺杂以重建在凹槽中的表面下部的材料中的p-n节；e)通过化学镀然后烧结，将晶种层应用在凹槽中外露的半导体材料上；f)通过化学镀，将导电基层应用到在步骤d)中获得的晶种层的顶部；以及g)通过使用另外包括整平添加剂以及抑制添加剂的常规的电解槽，以及使用基本上恒定的电池电压的电解电镀，用导电接点形成材料填充凹槽。