[发明专利]磁光记录介质和其制造方法以及用于对其进行读出的方法和设备无效
申请号: | 01814287.7 | 申请日: | 2001-05-28 |
公开(公告)号: | CN1606776A | 公开(公告)日: | 2005-04-13 |
发明(设计)人: | 村上元良;川口優子;日野泰守 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G11B11/105 | 分类号: | G11B11/105 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 张政权 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种能够使用DWDD方法稳定地记录和读出的磁光记录介质。本发明的磁光记录介质包括光盘基片(11)以及多层记录薄膜,多层记录薄膜必要包括在基片顶部连续形成的读出层(13)、中间层(14)和记录层(15)。读出层具有比记录层更小的磁畴壁矫顽性。中间层包括其居里温度低于读出层和记录层的磁性层。只在光盘基片的凹槽(2a)中形成相应于记录/读出信息的记录/读出磁畴。相邻记录磁道区域之间的边界(3a)处的记录薄膜厚度小于记录磁道区域中心部分的记录薄膜厚度。 | ||
搜索关键词: | 记录 介质 制造 方法 以及 用于 进行 读出 设备 | ||
【主权项】:
1.一种磁光记录介质,包括基片和多层记录薄膜,多层记录薄膜包括在所述基片顶部连续形成并互相磁耦合的读出层、中间层以及记录层,其中所述记录层中形成的所记录磁畴复制到所述读出层中,并且通过在所述读出层偏移磁畴壁读出所记录信息,所述介质的特征在于:位于相邻记录磁道区域之间的边界部分的至少部分所述记录薄膜形成得比位于所述记录磁道区域中心部分的所述记录薄膜要薄。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/01814287.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:检测光存储装置中数据的数据结构的方法
- 下一篇:风力发电设备的预警系统