[发明专利]半导体发光器件及其制造工艺有效
| 申请号： | 01814308.3 | 申请日： | 2001-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN1447990A | 公开（公告）日： | 2003-10-08 |
| 发明（设计）人： | 奥山浩之;土居正人;琵琶刚志;大畑丰治;菊谷友志 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种细微芯片结构的半导体发光器件，该结构具有良好的晶体特性和控制的衬底螺纹位错，能够不增加步骤地制备这种结构。半导体发光器件包括衬底和形成其上的晶体层，所述晶体层具有与衬底主平面倾斜的晶面(例如S面)，还包括第一导电类型层、有源层、以及平行于所述晶体层上所述晶面的第二导电类型层。半导体发光器件可选的具有平行于倾斜晶面的反射面。具有与衬底主平面平行的晶体层具有良好的晶体特性。此外，由于倾斜，晶体层防止了衬底螺纹位错，并有助于器件小型化和器件隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光器件，包括一个衬底和形成其上的一个晶体层，所述晶体层具有与衬底的主平面倾斜的一个倾斜晶面，所述器件还包括一个第一导电类型的层、一个有源层、以及平行于所述晶体层上的所述倾斜晶面地形成的一个第二导电类型的层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社，未经索尼株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01814308.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
