[发明专利]半导体芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 01814332.6 | 申请日： | 2001-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN1447991A | 公开（公告）日： | 2003-10-08 |
| 发明（设计）人： | S·伊勒克 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 苏娟,赵辛 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 为了用薄膜技术制造半导体芯片，一个有源层(2)在一衬底上生长，背面带有具有一基层(3)的接触层，并通过一加强层(4)加强，这些层的总厚度至少等于有源层(2)的厚度。然后安置一个辅助载体层(5)，从而可以进一步加工有源层(2)。加强层(4)和辅助载体层(5)代替了传统方法中使用的机械载体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.半导体芯片，带有一个具有发射光子的区域的有源层(2)，在该有源层(2)两侧设有触点，其特征在于，触点之一设计成一个接触层(3，4)，其厚度至少等于有源层(2)的厚度。
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