[发明专利]对基体进行热处理有效
| 申请号： | 01814498.5 | 申请日： | 2001-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN1447980A | 公开（公告）日： | 2003-10-08 |
| 发明（设计）人： | 瑞安·C·博斯;阿吉特·巴拉克里施纳;本杰明·比尔曼;布赖恩·L·哈斯;迪安·詹宁斯;沃尔夫冈·阿德霍尔德;孙达尔·拉马默蒂;阿贝希拉什·梅尤尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郭小军 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述了一种热处理方法，其中，可以在加热阶段或冷却阶段或者同时在这两个阶段对基体的温度响应进行控制。这就减轻了对基体的热聚集。尤其是，通过控制基体与一个蓄热器(比如一个水冷式反射板装置)之间的热传递速率，基体的温度响应可以在热处理过程中得以控制。通过改变基体与蓄热器之间的导热系数、通过改变蓄热器表面的反射率或者通过改变基体与蓄热器之间的距离，均可以改变热传递的速率。所述导热系数可以通过改变位于基体与蓄热器之间的热传递介质(比如一种清洗气体)的特性而得以改变。 | ||
| 搜索关键词： | 基体 进行 热处理 | ||
【主权项】：
1.一种用于在一热处理系统内对基体进行热处理的方法，包括：根据一个加热进度表对基体进行加热；和在加热过程中，改变基体与该热处理系统内一个蓄热器之间的热传递速率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
