[发明专利]微电子装置制造中用于有机聚合物电介质的硬面层的有机硅酸盐树脂在审
申请号: | 01814521.3 | 申请日: | 2001-08-20 |
公开(公告)号: | CN1447981A | 公开(公告)日: | 2003-10-08 |
发明(设计)人: | E·O·谢弗二世;K·E·霍华德;J·J·M·韦特卢斯;J·E·黑茨内尔;P·H·汤森三世;L·K·米尔斯;S·冈巴尔-费特内尔;L·R·威尔逊 | 申请(专利权)人: | 陶氏环球技术公司 |
主分类号: | H01L21/312 | 分类号: | H01L21/312;C09D183/06;H01L21/311 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程伟 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明为一种方法,包括提供一种底材,在底材上形成第一层,其中第一层具有小于3.0的介电常数且含有一种有机聚合物,在第一层上涂施有机硅酸盐树脂,除去一部分有机硅酸盐树脂以暴露第一层的一部分,然后除去第一层的暴露部分。本发明同时也是一种集成电路制品,包括一个含有晶体管的活性底材和一个含有金属线路模式的电内连接结构,至少部分地被有机聚合物材料构成的层或区域分开,有机聚合物材料具有小于3.0的介电常数,并进一步包括在至少一层有机聚合物材料层之上的一层有机硅酸盐树脂。 | ||
搜索关键词: | 微电子 装置 制造 用于 有机 聚合物 电介质 面层 硅酸盐 树脂 | ||
【主权项】:
1.一种组合物,其中含有水解的或部分水解的硅烷结合物的产物,该结合物包括:(a)具有至少一个直接连到硅原子上的烃基的烷氧基硅烷或酸基硅烷,该烃基含有一个非芳族、不饱和碳碳键,且(b)具有至少一个直接连到硅原子上的烃基的烷氧基硅烷或酸基硅烷,该烃基含有一个芳环。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陶氏环球技术公司,未经陶氏环球技术公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/01814521.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造